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NE68019-A是RF晶体管NPN SOT-523，包括散装替代包装包装，它们设计为在0.007090盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如SOT-523，技术设计为在Si中工作，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-523供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为100mW，该设备具有晶体管型NPN，电流收集器Ic最大值为35mA，电压收集器-发射器击穿最大值为10V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA，3V，频率转换为10GHz，噪声系数dB Typ f为1.9dB@2GHz，增益为9.6dB，Pd功耗为0.1W，工作频率为3GHz，集电极-发射极电压VCEO Max为10V，晶体管极性为NPN，发射极基极电压VEBO为1.5V，连续集电极电流为0.035A。
NE68018-T1-A是RF晶体管NPN SOT-343，包括10V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计用于NPN晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于NPN，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于SOT-343，以及150mW最大功率，该器件也可以用作150mW Pd功率耗散。此外，零件别名为2SC5013-T1-A，该设备采用磁带和卷轴（TR）交替包装包装，该设备具有SC-82A、SOT-343封装盒，噪声系数dB Typ f为1.8dB@2GHz，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，增益为10.2dB，频率转换为10GHz，直流电流增益hFE Min Ic Vce为50@10mA，6V，集流器Ic Max为35mA，连续集流器电流为0.035 A，配置为Single。
NE68019-T1是TRANS NPN 2GHZ SMD，包括35mA集流器Ic Max，设计用于80@5mA，3V DC电流增益hFE Min Ic Vce，数据表说明中显示了用于10GHz的频率转换，提供增益特性，如9.6dB ~ 13.5dB，安装类型设计用于表面安装，以及1.7dB ~ 1.9dB@1GHz ~ 2GHZ噪声系数dB Typ f，该装置也可用作SOT-523包装箱。此外，封装为切割带（CT），该器件的最大功率为100mW，该器件具有供应商器件封装的SOT-523，晶体管类型为NPN，集电极-发射极击穿最大值为10V。
