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NE68039-A是RF晶体管NPN SOT-143，包括散装替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于to-253-4、to-253AA，提供Si等技术特性，安装类型设计用于表面安装，以及SOT-143供应商设备包，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为200mW，该器件为NPN晶体管型，该器件具有35mA的电流收集器Ic最大值，电压收集器发射极击穿最大值为10V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为50@10mA，6V，频率转换为10GHz，噪声系数dB Typ f为1.8dB@2GHz，增益为11dB，Pd功耗为0.2W，晶体管极性为NPN，连续集电极电流为0.035A。
NE68033-T1B-R45-A是RF晶体管NPN SOT-23，包括10V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在0.050717盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于NPN，提供Si等技术特性，供应商设备包设计为在SOT-23中工作，以及200mW最大功率，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，该器件的噪声系数为1.8dB@2GHz dB Typ f，该器件具有安装型表面安装，增益为9dB，频率转换为10GHz，直流电流增益hFE最小Ic Vce为125@10mA，6V，集流器Ic最大值为35mA，配置为单一。
NE68039R-T1是TRANS NPN 2GHZ SOT-143R，包括35mA集流器Ic Max，它们设计为在50@10mA、6V DC电流增益hFE Min Ic Vce下工作，数据表说明中显示了10GHz中使用的频率转换，提供6.5dB ~ 11dB等增益特性，安装类型设计为在表面安装中工作，该器件还可以用作SOT-143R封装外壳。此外，该封装为切割胶带（CT）交替封装，该器件的最大功率为200mW，该器件具有供应商器件封装的SOT-143R，晶体管类型为NPN，集电极-发射极击穿最大值为10V。
