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NE68130-A是RF晶体管NPN SOT-323，包括散装替代包装包装，它们设计为以0.002116盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如SC-70、SOT-323。技术设计为在Si中工作，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-323供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为150mW，该设备具有晶体管型NPN，电流收集器Ic最大值为65mA，电压收集器-发射器击穿最大值为10V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为40@7mA，3V，频率转换为7GHz，噪声系数dB Typ f为1.4dB@1GHz，增益为9dB，Pd功耗为0.150W，集电极-发射极电压VCEO Max为10V，晶体管极性为NPN，发射极-基极电压VEBO为1.5V，连续集电极电流为0.065A，DC集电极-基极增益hfe Min为40。
NE68119-T1-A是RF晶体管NPN SOT-523，包括10V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计用于NPN晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于NPN，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于SOT-523，以及100mW最大功率，该器件也可以用作0.1W Pd功率耗散。此外，零件别名为2SC5007-T1-A，该器件采用Digi-ReelR交替封装，该器件具有SOT-523封装盒，噪声系数dB Typ f为1.4dB@1GHz，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，增益为10dB，频率转换为7GHz，直流电流增益hFE Min-Ic Vce为80@7mA，3V，集流器Ic Max为65mA，连续集流器电流为0.065A，配置为Single。
NE68130-T1是TRANS NPN 1GHZ SOT-323，包括65mA集流器Ic Max，设计用于40@7mA，3V DC电流增益hFE Min Ic Vce，数据表中显示了用于7GHz的频率转换，提供9dB ~ 13.5dB等增益特性，安装类型设计用于表面安装，以及1.5dB ~ 1.6dB@1GHZ ~ 2GHz噪声系数dB Typ f，该装置也可以用作SC-70、SOT-323封装盒。此外，封装为磁带和卷轴（TR），该器件的最大功率为150mW，该器件具有供应商器件封装的SOT-323，晶体管类型为NPN，集电极-发射极击穿最大值为10V。
