特色
- 低饱和电压，通常VCE（sat）=400mV（最大值）（IC/IB=1A/50mA）
- 高速切换
2SCR552P5T100
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 500 mW 特征频率: 280兆赫 供应商设备包装: MPT3
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.45002 | 1.45002 |
- 库存: 185
- 单价: ¥1.45003
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.45
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 NPN
- 安装类别 表面安装
- 集电极击穿电压 30伏
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 最大功率 500 mW
- 包装/外壳 至243AA
- 集电极最大截止电流 1.A（ICBO）
- 最小直流增益 200@500毫安，2V
- 最大集电极电流 (Ic) 3A
- 特征频率 280兆赫
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 400mV @ 50毫安, 1A
- 供应商设备包装 MPT3
2SCR552P5T100 产品详情
ROHM 2SxR双极结晶体管（BJT）设计用于工业和消费应用。2SxR BJT提供PNP和NPN两种极性。这些器件封装在3针SOT-89（MPT3）封装中，该封装设计用于中等功率表面安装应用。2SxR BJT具有-55的宽存储温度（Tstg）范围�C至150�C、 结温度（TJ）为150�C.特点紧凑型SOT-89（MPT3）包装宽存储温度（Tstg）：-55�C至150�C结温（TJ）：150�C应用电源低频放大器高速开关
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| 2SCR513RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 360兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥4.63546 |
| 2SCR514RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 700 mA 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥5.14246 |
| 2SC4942-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4942-T1-AZ - NPN SILICON TRIP | ¥8.37185 |
| 2SC4942-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4942-AZ - NPN SILICON TRIPLE | ¥8.37185 |
 | 2SCR522EBTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 400MHz 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.23129 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
