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SMBT 2222A E6327是双极晶体管-BJT AF GP BJT NPN 40V 0.6A，包括SMBT2222系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于SMBT222AE6327HTSA1 SMBT222AE 6327XT SP000011176的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.007090盎司，安装样式设计用于SMD/SMT以及SOT-23封装盒，该设备也可以用作单一配置。此外，Pd功耗为330 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为40 V，晶体管极性为NPN，集电极基极电压VCBO为75 V，发射极基极电压VEBO为6 V，最大直流集电极电流为0.6 A，并且增益带宽乘积fT是300MHz（Min），并且DC集电极基本增益hfe Min在100uA和10V时是35。
SMBT 2907A E6327是双极晶体管-BJT AF GP BJT PNP 60V 0.6A，包括0.007090 oz单位重量，它们设计用于PNP晶体管极性，系列如数据表注释所示，用于SMBT2907，提供Pd功耗功能，如330 mW，零件别名设计用于SMBT907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327XT SP000011181，该装置也可以用作SOT-23包装箱。此外，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-65 C，最大工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为0.6 A，增益带宽乘积fT为200 MHz（最小），发射极基极电压VEBO为5 V，直流集电极基极增益hfe Min为75，电压为10 V，电流为100 uA，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为60V，集电极-基极电压VCBO为60V。
带有电路图的SMBSR106，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在500μa@60V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~125°C，以及DO-214AA，SMB封装外壳，该装置也可以用作切割带（CT）包装。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备在DO-214AA（SMBJ）供应商设备包中提供，该设备具有60V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为720mV@1A。
SMBSR108具有EDA/CAD模型，包括表面安装安装型，设计用于肖特基二极管型，速度如数据表注释所示，用于快速恢复=20mA（Io），提供封装盒功能，如DO-214AA、SMB、供应商设备封装设计用于DO-214AB（SMBJ）以及切割带（CT）封装，该器件还可以用作80V电压DC反向Vr Max。此外，电压正向Vf Max If为800mV@1A，其工作温度结范围为-55°C ~ 125°C，该器件具有500μa@80V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1A。
