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NE85630-R25-A是RF晶体管NPN SOT-323,包括散装封装,其设计为单位重量为0.002116盎司,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供SC-70、SOT-323等封装外壳功能,技术设计为在Si中工作,以及表面安装安装类型,该设备也可以用作SOT-323供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备的最大功率为150mW,该设备具有晶体管型NPN,电流收集器Ic最大值为100mA,电压收集器-发射器击穿最大值为12V,直流电流增益hFE最小Ic Vce为125@7mA,3V,频率转换为4.5GHz,噪声系数dB Typ f为1.2dB@1GHz,增益为9dB,Pd功耗为150mW,晶体管极性为NPN,连续集电极电流为0.1A。
NE85630-R24-A是RF晶体管NPN SOT-323,包括12V电压集电极-发射极击穿最大值,它们设计为以0.002116盎司的单位重量运行,晶体管类型如用于NPN的数据表注释所示,该NPN提供晶体管极性功能,如NPN,技术设计为在Si中工作,以及SOT-323供应商设备包,该器件还可以用作150mW最大功率。此外,Pd功耗为150mW,该器件采用散装封装,该器件具有SC-70、SOT-323封装外壳,噪声系数dB Typ f为1.2dB@1GHz,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,增益为9dB,频率转换为4.5GHz,直流电流增益hFE最小Ic Vce为70@7mA,3V,集电极Ic最大值为100mA,连续集电极电流为0.1A,配置为单一。
NE85630-T1是TRANS NPN 1GHZ SOT-323,包括100mA集流器Ic Max,设计用于40@7mA,3V DC电流增益hFE Min Ic Vce,数据表说明中显示了用于4.5GHz的频率转换,提供6dB~12dB等增益特性,安装类型设计用于表面安装,以及1.3dB~2.2dB@1GHz~2GHz噪声系数dB Typ f,该设备也可以用作SC-70、SOT-323封装盒。此外,包装为磁带和卷轴(TR),该器件的最大功率为150mW,该器件具有供应商器件封装的SOT-323,晶体管类型为NPN,集电极-发射极击穿最大值为12V。