9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SBCP56-16T3G,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SBCP56-16T3G参考价格为0.41000美元。onsemi SBCP56-16T3G包装/规格:TRANS NPN 80V 1A SOT-223。您可以下载SBCP56-16T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的,可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如SBCP56-16T3G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
SBCP56-10T1G是TRANS NPN 80V 1A SOT-223,包括BCP56系列,它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.006632盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术,该装置也可以用作表面安装型。此外,供应商设备包为SOT-223(TO-261),该设备为单配置,该设备最大功率为1.5W,晶体管类型为NPN,集电器Ic最大值为1A,集电器发射极击穿最大值为80V,直流电流增益hFE最小Ic Vce为63@150mA,2V,Vce饱和最大Ib Ic为500mV@50mA,500mA,集电极截止电流最大值为100nA(ICBO),频率转换为130MHz,Pd功耗为1.5W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-65 C,集电极-发射极电压VCEO最大值为80V,晶体管极性为NPN,集电极/发射极饱和电压为0.5V,并且集电极基极电压VCBO为100V,发射极基极电压VEBO为5V,并且最大DC集电极电流为1A,增益带宽乘积fT为130MHz,并且DC集电极基基增益hfe Min在2V时150mA时为63,并且DC电流增益hfe Max在2V下150mA时是160。
SBCP56-16T1G是双极晶体管-BJT SBN SSP SOT223 NPN,包括0.006632盎司的单位重量,它们设计为与NPN晶体管极性一起工作,系列如数据表注释所示,用于SBCP56,提供1.5 W等Pd功耗功能,包装设计为在卷筒中工作,以及SOT-223包装箱,该器件也可以用作SMD/SMT安装型,其最小工作温度范围为-65℃,最大工作温度范围+150℃,该器件最大直流集电极电流为1A,增益带宽积fT为130 MHz,发射极基极电压VEBO为5 VDC,直流电流增益hFE Max为250 mA,直流集电极基极增益hFE Min为25,并且连续集电极电流为1A,集电极-发射极电压VCEO Max为80VDC,集电极发射极饱和电压为0.5V,集电极基极电压VCBO为100VDC。
SBCP53T1G是双极晶体管-BJT SS GP XSTR PNP 80V,包括卷筒包装,它们设计用于BCP53系列,晶体管极性如数据表注释所示,用于PNP。