起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
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| 1+ | 1.44278 | 1.44278 |
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英飞凌的一系列超低噪声宽带NPN双极RF晶体管。这些异质结双极器件利用英飞凌的硅锗碳（SiGe:C）材料技术，特别适用于低功耗是关键要求的移动应用。当用于放大器应用时，这些器件具有高达65GHz的典型过渡频率，在高达10GHz的频率下提供高功率增益。晶体管包括用于ESD和过度RF输入功率保护的内部电路。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BFP-127111-10-9 | 泰科瑞侃 (Raychem Cable) | BFP-127111-10-9 | ¥415.92062 |
 | BFP 196 WN H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥1.39377 |
| BFP 420 H6801 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥3.46812 |
| BFP740H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：4V 集电极电流(Ic)：45mA 功率(Pd)：160mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@25mA,3V | ¥1.76181 |
| BFP420H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：4.5V 集电极电流(Ic)：60mA 功率(Pd)：210mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：95@20mA,4V | ¥0.86471 |
| BFP 196W H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：12V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：700mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：70@50mA,8V | ¥0.54684 |
| BFP520H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：3.5V 功率(Pd)：100mW | ¥1.96075 |
| BFP 640 H6327 | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.34935 | |
| BFP 640ESD H6327 | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.5536 | |
| BFP196WH6327 | 英飞凌 (Infineon) | ¥0.73226 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
