晶体管之间完全隔离
特色
- NPN晶体管(fT)。8兆赫
- NPN电流增益(hFE)。130
- NPN早期电压(VA)。50伏
- PNP晶体管(fT)。5.5GHz
- PNP电流增益(hFE)。60
- PNP早期电压(VA)。20伏
- 1.0GHz时的噪声系数(50Ω)…………3.5dB
- 收集器到收集器的泄漏<1磅/平方英寸
- 晶体管之间完全隔离
- 引脚与行业标准3XXX系列阵列兼容
- 无铅(符合RoHS)
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 94.01284 | 94.01284 |
10+ | 86.38606 | 863.86068 |
100+ | 72.95845 | 7295.84560 |
500+ | 70.51759 | 35258.79950 |
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晶体管之间完全隔离
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash;安全可靠。作为微控制器...