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NE67839-T1-A是RF TRANSISTOR NPN SOT-143，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计为与2SC5455-T1-A零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-253-4、to-253AA等封装盒功能，安装类型设计为表面安装，以及SOT-143供应商设备封装，该器件还可以用作200mW功率最大值。此外，晶体管类型为NPN，该器件提供100mA电流收集器Ic Max，该器件具有6V电压收集器-发射器击穿最大值，直流电流增益hFE最小Ic Vce为75@30mA，3V，频率转换为12GHz，噪声系数dB Typ f为1.5dB@2GHz，增益为10dB。
NE67818-T1-A是RF晶体管NPN SOT-343，包括6V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计用于NPN晶体管类型，供应商设备包如数据表注释所示，用于SOT-343，提供功率最大值功能，如200mW，零件别名设计用于2SC5752-T1-A，以及磁带和卷轴（TR）封装，该装置也可以用作SC-82A、SOT-343封装盒。此外，噪声系数dB Typ f为1.7dB@2GHz，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有安装型表面安装，增益为10dB，频率转换为12GHz，直流电流增益hFE最小Ic Vce为75@30mA，3V，集流器Ic最大值为100mA。
NE67839-A带电路图，包括100mA电流收集器Ic Max，设计用于75@30mA、3V DC电流增益hFE Min Ic Vce下工作，数据表说明中显示了12GHz下使用的频率转换，提供10dB等增益特性，安装类型设计用于表面安装，以及1.5dB@2GHz噪声系数dB Typ f，该装置也可以用作TO-253-4、TO-253AA包装箱。此外，封装为切割条，该器件以2SC5455-A部件别名提供，该器件最大功率为200mW，晶体管类型为NPN，集电极-发射极击穿最大值为6V。
