9icnet为您提供由东芝半导体和存储公司设计和生产的RN2967（TE85L，F），该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RN2967（TE85L，F）参考价格为0.48000美元。东芝半导体和存储RN2967（TE85L，F）封装/规格：TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6。您可以下载RN2967（TE85L，F）英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RN2967FE（TE85L，F），带引脚细节，包括Digi-ReelR封装，设计用于SOT-563、SOT-666封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供ES6等供应商设备封装功能，功率最大设计为100mW，以及2 PNP-预偏置（双）晶体管类型，该器件还可以用作100mA电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为50V，该器件以10k电阻基极R1欧姆提供，该器件具有47k电阻发射器基极R2欧姆，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@10mA，5V，Vce饱和最大Ib-Ic为300mV@250μa，5mA，电流收集器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为200MHz。
带有用户指南的RN2968FE（TE85L，F），包括50V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在300mV@250μa、5mA Vce饱和最大值Ib-Ic下工作，数据表说明中显示了用于2 PNP-预偏置（双）的晶体管类型，提供了ES6等供应商设备包功能，除了22k电阻基极R1欧姆之外，该器件还可以用作100mW最大功率。此外，该封装为Digi-ReelR，该器件采用SOT-563、SOT-666封装盒，该器件具有安装型表面安装，频率转换为200MHz，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@10mA，5V，集流器Ic最大值为100mA，集流器截止最大值为100nA（ICBO）。
RN2967FS（TPL3）是双极晶体管-预偏置-50mA-20V 6Pin 10K x 47Kohms，包括20 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计用于双配置，连续集电极电流显示在数据表注释中，用于-50 mA，提供直流集电极基本增益hfe Min功能，例如120，它具有+150℃的最大工作温度范围，以及SMD/SMT安装方式，该器件也可以用作fS-6封装盒。此外，包装为卷筒式，该设备提供50 mW Pd功耗，该设备具有50 mA的峰值直流集电极电流，晶体管极性为PNP，典型输入电阻为10 kΩ，典型电阻比为0.213。
RN2968，带有TOSHIBA制造的EDA/CAD模型。RN2968采用SOT-363封装，是预偏置晶体管（BJT）阵列的一部分。
