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IMD10AMT1G

  • 描述:晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 285mW 供应商设备包装: SC-74R
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.75230 2.75230
10+ 2.22357 22.23570
100+ 1.51304 151.30420
500+ 1.13510 567.55350
1000+ 0.85125 851.25800
3000+ 0.78078 2342.35500
  • 库存: 15113
  • 单价: ¥2.75230
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.75
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 晶体管类别 1个NPN,1个PNP-预偏置(双)
  • 集电极击穿电压 50V
  • 发射极电阻 (R2) 10欧姆
  • 集电极最大截止电流 500nA
  • 特征频率 -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 SC-74,SOT-457
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 1毫安, 10毫安
  • 供应商设备包装 SC-74R
  • 最大集电极电流 (Ic) 500毫安
  • 基极电阻 (R1) 13k欧姆、130欧姆
  • 最小直流增益 100@1毫安,5V/68@100毫安,5V
  • 最大功率 285mW

IMD10AMT1G 产品详情

带有单片偏置电阻网络的NPN和PNP硅表面安装晶体管。

特色


1) SMT封装中的两个数字级晶体管。
2) 最高可驱动500mA。
3) 低功耗驱动晶体管的低VCE(sat)。

IMD10AMT1G所属分类:预偏置双极晶体管阵列,IMD10AMT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IMD10AMT1G价格参考¥2.752302,你可以下载 IMD10AMT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IMD10AMT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

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