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TIP110G

  • 描述:晶体管类别: NPN-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 2A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 2 W 供应商设备包装: TO-220
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
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  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.76238 3.76238
10+ 3.15283 31.52834
30+ 2.84806 85.44180
100+ 2.55379 255.37960
500+ 2.37513 1187.56750
1000+ 2.28055 2280.55000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.76238
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.76
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 特征频率 -
  • 安装类别 通孔
  • 晶体管类别 NPN-达林顿
  • 最大功率 2 W
  • 工作温度 -65摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 最大集电极电流 (Ic) 2A
  • 集电极击穿电压 60 V
  • 包装/外壳 至220-3
  • 供应商设备包装 TO-220
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 2.5V@8毫安,2A
  • 集电极最大截止电流 2毫安
  • 最小直流增益 1000@1A,4V

TIP110G 产品详情

达林顿双极功率晶体管专为通用放大器和低速开关应用而设计。TIP110、TIP111、TIP112(NPN);TIP115、TIP116、TIP117(PNP)是互补器件。

特色

  • 高直流电流增益-hFE=2500(典型值)@IC=1.0 Adc
  • 30 mAVCEO(sus)时集电极-发射极维持电压=60 Vdc(最小)TIP110,TIP115 VCEO(sus)=80 Vdc(最小值)TIP111,TIP116 VCEO(sus)=100 Vdc(最小电压)TIP112,TIP117
  • 低集电极-发射极饱和电压VCE(sat)=2.5 Vdc(最大值)@IC=2.0 Adc=4.0 Vdc(最大)@IC=5.0 Adc
  • 带有内置基极-发射极分流电阻器的单片结构
  • 紧凑型TO-220 AB封装
  • 提供无铅包装


(图片:引出线)

TIP110G所属分类:分立双极结型晶体管,TIP110G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TIP110G价格参考¥3.762382,你可以下载 TIP110G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TIP110G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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