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2SD1835T-AA是TRANS NPN 50V 2A NP，包括2SD1835系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供封装盒功能，如3-SSIP，安装类型设计用于通孔以及3-NP供应商设备包，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为750mW，该器件为NPN晶体管型，该器件具有2A的电流收集器Ic最大值，电压收集器发射极击穿最大值为50V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@100mA，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为400mV@50mA，1A，电流收集器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为150MHz，Pd功耗为0.75 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为50 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为0.15 V，集电极基极电压VCBO为60 V，发射极基极电压VEBO为6 V，且最大DC集电极电流为3A，且增益带宽积fT为150MHz，且连续集电极电流是2A，且DC集电极基本增益hfe Min为100，且DC电流增益hfe Max为560。
2SD1835S-AA是TRANS NPN 50V 2A NP，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在400mV@50mA、1A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于NPN，提供晶体管极性功能，如NPN，供应商设备包设计为在3-NP以及2SD1835系列中工作，该设备也可以用作750mW最大功率。此外，Pd功耗为0.75W，该设备采用Digi-ReelR替代包装包装，该设备具有TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）（成型引线）封装盒，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，最大直流集电极电流为3A，增益带宽积fT为150 MHz，频率转换为150MHz，发射极基极电压VEBO为6 V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@100mA，2V，直流电增益hFE最大值为560，集电极Ic最大值为2A，且集电极截止电流最大值为100nA（ICBO），且连续集电极电流为2A，且配置为单一，且集电极-发射极电压VCEO最大值为50V，且集极-发射极饱和电压为0.15V，且集极基极电压VCBO为60V。
2SD1835T是双极晶体管-BJT BIP NPN 2A 50V，包括散装封装，它们设计用于2SD1835系列，晶体管极性显示在用于NPN的数据表注释中。
2SD1835-T，带有SANYO制造的EDA/CAD模型。2SD1835-T采用TO-92封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
