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MT3S113(TE85L,F)

  • 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 5.3V 最大功率: 800mW 特征频率: 12.5GHz 供应商设备包装: S-Mini
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3000

数量 单价 合计
1+ 5.65670 5.65670
  • 库存: 9
  • 单价: ¥5.65671
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥16,970.12
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 晶体管类别 NPN
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 供应商设备包装 S-Mini
  • 最大功率 800mW
  • 最小直流增益 200@30毫安,5V
  • 集电极击穿电压 5.3V
  • 噪声系数 (dB) 频率 (f) 1.5分贝@1GHz
  • 特征频率 12.5GHz
  • 增益 11.8分贝

MT3S113(TE85L,F) 产品详情

  • 应用范围:VHF/UHF频段低噪声、低失真放大器
  • 极性:NPN
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本/泰国

特色

  • 装配底座:12.5 dB
  • 组装底座:10 GHz
  • 装配底座:0.85 dB

应用

VHF/UHF频段低噪声、低失真放大器
MT3S113(TE85L,F)所属分类:双极射频晶体管,MT3S113(TE85L,F) 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MT3S113(TE85L,F)价格参考¥5.656705,你可以下载 MT3S113(TE85L,F)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MT3S113(TE85L,F)规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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