9icnet为您提供由onsemi设计和生产的2SB1144S，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。2SB1144S参考价格为0.20000美元。onsemi 2SB1144S包装/规格：POWER双极晶体管，PNP。您可以下载2SB1144S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2SB1143S是TRANS PNP 50V 4A TO-126ML，包括2SB1143系列，它们设计用于散装包装，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-225AA、TO-126-3等包装箱功能，安装类型设计用于通孔以及TO-126M供应商设备包，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为1.5W，该器件为PNP晶体管型，该器件具有4A集流器Ic最大值，集流器-发射极击穿最大值为50V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为140@100mA，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为700mV@1100mA，2A，集流截止最大值为1μa（ICBO），频率转换为150MHz，Pd功耗为10 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-50 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-350 mV，集电极基极电压VCBO为-60 V，发射极基极电压VEBO为-6 V，最大直流集电极电流为-6A，增益带宽乘积fT为150MHz，连续集电极电流是-4A，直流集电极基本增益hfe Min为100，直流电流增益hfe Max为560。
2SB1143T是TRANS PNP 50V 4A TO-126ML，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在700mV@100mA、2A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于PNP，提供晶体管极性功能，如NPN PNP，供应商设备包设计为在TO-126M以及2SB1143系列中工作，该器件也可以用作1.5W最大功率。此外，Pd功耗为1.5W，该器件采用散装封装，该器件具有TO-225AA、TO-126-3封装盒，安装类型为通孔，安装类型是通孔，增益带宽乘积fT为150MHz，频率转换为150MHz；发射极基极电压VEBO为6V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为200@100mA，2V，直流集电极基极增益hFE Min为100，集电极Ic Max为4A，集电极截止最大值为1μA（ICBO），连续集电极电流为4A，集电极-发射极电压VCEO Max为50V。
2SB1143，带有SANYO制造的电路图。2SB1143以TO-126封装形式提供，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
2SB1144，SAY制造的EDA/CAD模型。2SB1144采用TO-126封装，是IC芯片的一部分。
