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BCX 55 E6327是双极晶体管-BJT NPN硅AF晶体管，包括BCX55系列，它们设计为使用卷轴包装，零件别名如数据表注释所示，用于BCX55E6327HTSA1 SP000010916，提供单位重量功能，如0.004603盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-89封装盒，该设备也可以用作单一配置。此外，Pd功耗为1000 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为60 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为0.5 V，集电极基极电压VCBO为60 V和发射极基极电压VEBO为5 V，且最大DC集电极电流为1A，且增益带宽积fT为100MHz，且连续集电极电流是1A，且DC集电极基本增益hfe Min为25，且DC电流增益hfe Max为250。
BCX 68-10 E6327是双极晶体管-BJT NPN硅AF晶体管，包括0.004603盎司的单位重量，它们设计用于NPN晶体管极性，系列如数据表注释所示，用于BCX68，提供1500 mW等Pd功耗功能，零件别名设计用于BCX6810E6327HTSA1 SP000010924，以及卷筒包装，该装置也可用作SOT-89-3包装箱。此外，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，最大直流集电极电流为1 A，增益带宽积fT为100 MHz，发射极基极电压VEBO为5 V，直流集电极基极增益hfe Min为50，连续集电极电流1 A，并且所述配置为单，并且集电极-发射极电压VCEO Max为20V，并且集极-发射极饱和电压为0.5V，集电极-基极电压VCBO为25V。
BCX 53-16 E6327是双极晶体管-BJT NPN硅AF晶体管，包括100 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在0.5 V集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-射极电压VCEO Max如数据表说明所示，用于80 V，提供配置功能，如单、连续集电极电流设计为在1 a下工作，该器件还可以用作5V发射极基极电压VEBO。此外，增益带宽产品fT为125 MHz，该器件的最大直流集电极电流为1 A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，安装类型为SMD/SMT，封装外壳为SOT-89，封装为卷筒，零件别名为BCX5316E6327HTSA1 SP000010907，Pd功耗为2000mW，系列为BCX53，晶体管极性为PNP，单位重量为0.004603盎司。
BCX 53 E6327是双极晶体管-BJT PNP硅AF晶体管，包括SOT-89封装盒，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供卷轴等封装功能，晶体管极性设计为在PNP中工作，以及BCX53E6327HTSA1 SP000010906零件别名，该设备也可以用作BCX53系列。此外，集电极-发射极电压VCEO Max为80 V，该器件提供5 V发射极基极电压VEBO，该器件具有25个直流集电极基极增益hfe Min，增益带宽乘积fT为125 MHz，Pd功耗为1000 mW，集电极基电压VCBO为100 V，最大直流集电极电流为1 a，连续集电极电流1 a，集电极-发射极饱和电压为0.5 V，单位重量为0.004603 oz，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C。
