9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的2SB1260T100R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2SB1260T100R参考价格为0.49000美元。Rohm Semiconductor 2SB1260T100R封装/规格：TRANS PNP 80V 1A SOT-89。您可以下载2SB1260T100R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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2SB1260T100P是TRANS PNP 80V 1A SOT-89，包括2SB1260系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004603盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-89以及单配置，该设备也可用作2000 mW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为80 V，该器件具有晶体管极性PNP，集电极基极电压VCBO为-80 V，发射极基极电压VEBO为5 V，最大直流集电极电流为1 a，增益带宽积fT为100 MHz，连续集电极电流是-1 a，并且DC集电极基极增益hfe Min为82，并且DC电流增益hfe Max为82。
2SB1260T100Q是TRANS PNP 80V 1A SO-89，包括0.004603 oz单位重量，它们设计用于PNP晶体管极性，系列如数据表注释所示，用于2SB1260，提供Pd功率耗散功能，如0.5 W，包装设计用于卷筒，以及SOT-89封装盒，该设备也可以用作SMD/SMT安装类型，它的最大工作温度范围为+150℃，该设备的最大直流集电极电流为1 A，该设备具有100 MHz的增益带宽乘积fT，发射极基极电压VEBO为-5 V，直流电流增益hFE Max为390，直流集电极基极增益hFE Min为82，连续集电极电流是-1 A，配置为单级，集电极-发射极电压VCEO Max为-80 V，集电极-基极电压VCBO为-80 V。
2SB1260R T100，电路图由ROHM制造。2SB1260R T100采用SOT-89封装，是IC芯片的一部分。
