9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SMUN5237DW1T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SMUN5237DW1T1G参考价格为0.46000美元。onsemi SMUN5237DW1T1G包装/规格：TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363。您可以下载SMUN5237DW1T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SMUN5235DW1T1G是TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363，包括MUN5235DW1系列，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SC-88/SC70-6/SOT-363供应商设备包。此外，该配置为双重配置，该设备以187mW功率最大值提供，该设备具有2 NPN-预偏置（双重）晶体管型，集电极Ic最大值为100mA，集电极-发射极击穿最大值为50V，电阻器基极R1欧姆值为2.2k，电阻器基极R2欧姆值为47k，直流电流增益hFE最小Ic Vce值为80@5mA，10V，Vce饱和最大值Ib-Ic为250mV@1mA，10mA，集电极截止最大值为500nA，Pd功耗为187 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为50 V，晶体管极性为NPN，连续集电极电流为0.1 A，DC集电极基极增益hfe Min为80，典型输入电阻为2.2k欧姆，典型电阻比为0.047。
带有用户指南的SMUN5235DW1T3G，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@1mA、10mA Vce饱和最大值Ib-Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于2 NPN-预偏置（双），提供供应商设备包功能，如SOT-363，系列设计用于MUN5235DW1，该器件还可以用作2.2k电阻基极R1欧姆。此外，最大功率为187mW，该设备采用磁带和卷轴（TR）封装，该设备具有6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，安装类型为表面安装，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA、10V，集电器Ic最大值为100mA，集电器截止电流最大值为500nA。
SMUN5235T1G是双极晶体管-预偏置SS BR XSTR PNP 50V，包括卷筒包装，它们设计用于MUN5235系列。
