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CPH5617-TL-E是MOSFET 2N-CH 30V 0.15A CPH5，包括CPH5617系列，它们设计用于带卷（TR）封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如5-SMD、鸥翼，技术设计用于Si，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为5-CPH，该设备为2 N沟道（双）FET型，该设备最大功率为250mW，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为7pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为150mA，Rds On Max Id Vgs为3.7 Ohm@80mA，4V，栅极电荷Qg Vgs为1.58nC@10V，Pd功耗为250mW，Id连续漏极电流为150mA，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极电阻为3.7欧姆，晶体管极性为N沟道。
CPH5616-TL-E，带有SANYO制造的用户指南。CPH5616-TL-E采用SOT23-5封装，是IC芯片的一部分。
CPH5617-TL是SANYO制造的MOSFET 2N-CH 30V 0.15A CPH5。CPH5617-TL采用5-SMD鸥翼封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2N-CH 30V 0.15A CPH5。
CPH5701-TL，带有SANYO制造的EDA/CAD模型。CPH5701-TL采用SOT23-5封装，是IC芯片的一部分。
