MDS1100是一种高功率COMMON BASE双极晶体管。它设计用于1030MHz的脉冲系统,具有MODE-S应用所需的脉冲宽度和占空比。该器件具有金薄膜金属化和发射极镇流器,可实现最高MTTF。该晶体管包括用于宽带能力的输入和输出预匹配。低热阻封装降低了结温,延长了寿命。
绝对最大额定值
最大功耗
25°C时的装置耗散1.8750瓦
最大电压和电流
集电极对基极电压(BVces)65 V
发射极至基极电压(BVebo)4.5 V
集电极电流(Ic)100 A
最高温度
储存温度-65至+200°C
工作结温度+200°C