9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的BC858B-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BC858B-TP参考价格为0.21000美元。Micro Commercial Co BC858B-TP包装/规格：PNP、晶体管、SOT-23。您可以下载BC858B-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BC858BMTF是TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23，包括Digi-ReelR替代包装包装，其设计为单位重量为0.002116盎司，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等包装箱功能，安装类型设计为表面安装，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为310mW，该器件为PNP晶体管型，该器件具有100mA的电流收集器Ic最大值，电压收集器-发射器击穿最大值为30V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@2mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为650mV@5mA，100mA，电流收集器截止最大值为15nA（ICBO），频率转换为150MHz，Pd功耗为310 mW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-30 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-250 mV，集电极基极电压VCBO为-30V，发射极基极电压VEBO为-5 V，最大DC集电极电流为0.1A，增益带宽乘积fT为150MHz，连续集电极电流是-0.1A，DC集电极基本增益hfe Min为110，DC电流增益hfe Max为800。
BC858BT116是双极晶体管-BJT PNP 30V 1MA，包括PNP晶体管极性，它们设计为与BC858B系列一起工作，Pd功耗如数据表注释所示，用于0.35 W，提供卷盘等封装功能，封装盒设计为在SST-3以及SMD/SMT安装样式下工作，其最低工作温度范围为-65 C，它的最大工作温度范围为+150℃，该器件的最大直流集电极电流为0.1 A，该器件具有250 MHz的增益带宽乘积fT，发射极基极电压VEBO为-5 V，直流电流增益hFE Max为480，直流集电极基极增益hFE Min为210，连续集电极电流是-0.1 A，配置为单级，集电极-发射极电压VCEO Max为-30 V，集电极-发射器饱和电压为-0.65 V，集极基极电压VCBO为-30 V。
BC858-B-RTK/P，电路图由KEC制造。BC858-B-RTK/P采用1329 ROHS封装，是IC芯片的一部分。
带有SAMSUNG制造的EDA/CAD模型的BC858-BTF。BC858-BTF采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
