内置基极-发射极分流电阻器的单片结构
•高直流电流增益:hFE=1000@VCE=–4V,IC=–5A(最小值)
•工业用途
•补充TIP140T/141T/142T
特色
- 单片达林顿配置
- 集成反并联集电极-发射极二极管
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 5.56280 | 5.56280 |
30+ | 4.63567 | 139.07019 |
100+ | 3.86305 | 386.30590 |
500+ | 2.95094 | 1475.47300 |
1000+ | 2.68268 | 2682.68300 |
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内置基极-发射极分流电阻器的单片结构
•高直流电流增益:hFE=1000@VCE=–4V,IC=–5A(最小值)
•工业用途
•补充TIP140T/141T/142T
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