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BC858B-7-F是TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3，包括BC858系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于SOT-23，以及单一配置，该设备也可用作300 mW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-65℃，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为-30 V，晶体管极性为PNP，集电极-发射器饱和电压为-650 mV，集电极基极电压VCBO为-30 V、发射极基极电压VEBO为-5 V，最大直流集电极电流为-200 mA，增益带宽乘积fT为200 MHz，直流集电极基本增益hfe Min为220（在-2 mA-5 V时）。
BC858B/BS和NXP制造的用户指南。BC858B/BS采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
BC858B/DG/B2，带有NXP制造的电路图。BC858B/DG/B2采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
BC858B-7是由DIODES制造的TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3。BC858B-7以TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装形式提供，是晶体管（BJT）-单体的一部分，支持TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3。
