这些器件采用平面技术制造,具有“基岛”布局和单片达林顿配置。所得到的晶体管显示出与非常低的饱和电压耦合的优异的高增益性能。
特色
- 低集电极-发射极饱和电压
- 互补NPN-PNP晶体管
起订量: 1312
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 1.72943 | 1.72943 |
200+ | 0.66934 | 133.86900 |
500+ | 0.64580 | 322.90300 |
1000+ | 0.63413 | 634.13800 |
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这些器件采用平面技术制造,具有“基岛”布局和单片达林顿配置。所得到的晶体管显示出与非常低的饱和电压耦合的优异的高增益性能。
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