起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 7.98240 | 7.98240 |
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特征
1.由于采用单点固定式塑料模制封装（可与TO-3互换），因此易于安装。
2.由于片上镇流器电阻，ASO较宽。
3.fT对电流的良好依赖性和优异的高频响应。
应用
140V/12A，AF 60W输出应用
绝对最大额定值
1.集电极至基极电压：VCBO=160 V
2.集电极至发射极电压：VCEO=140 V
3.发射极至基极电压：VEBO=6 V
4.集电极电流：IC=12A
5.集电极电流（脉冲）：ICP=15 A
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SD734F | 安盛美 (onsemi) | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA | ¥0.90391 |
| 2SD1579-T-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SD1579-T-AZ - SMALL SIGNAL BIPO | ¥8.77333 |
 | 2SD1060R-1E | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 1.75瓦 特征频率: 30MHz 供应商设备包装: TO-220-3 | ¥0.92709 |
 | 2SD1824GSL | 松下电子元件 (Panasonic) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 90MHz 供应商设备包装: SMini3-F2 | ¥5.07003 |
 | 2SD1979GSL | 松下电子元件 (Panasonic) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 300毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 80MHz 供应商设备包装: SMini3-F2 | ¥2.46259 |
| 2SD734F-AA | 安盛美 (onsemi) | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA | ¥0.30131 |
| 2SD438F-MP-AE | 安盛美 (onsemi) | 2SD438 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, | ¥0.67794 |
| 2SD799 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥6.88369 |
| 2SD424 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥5.90631 |
| 2SD750 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥5.90631 |
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