硅N沟道增强型垂直D-MOS晶体管,专为UHF频率范围内的通信发射机应用而设计。
该晶体管封装在4引线SOT172D无柱外壳中,带有陶瓷帽。所有引线均与安装底座隔离。
特色
•高功率增益
•方便的电源控制
•金金属化
•良好的热稳定性
•承受满载不匹配
•专为宽带操作而设计。
起订量: 7
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
7+ | 338.17100 | 2367.19700 |
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硅N沟道增强型垂直D-MOS晶体管,专为UHF频率范围内的通信发射机应用而设计。
该晶体管封装在4引线SOT172D无柱外壳中,带有陶瓷帽。所有引线均与安装底座隔离。
•高功率增益
•方便的电源控制
•金金属化
•良好的热稳定性
•承受满载不匹配
•专为宽带操作而设计。
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