9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZTX855，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZTX855参考价格为1.08000美元。Diodes Incorporated ZTX855包装/规格：TRANS NPN 150V 4A E-LINE。您可以下载ZTX855英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZTX853是TRANS NPN 100V 4A E-LINE，包括ZTX853系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.016000盎司，具有通孔等安装类型功能，包装箱设计用于E-LINE-3，以及通孔安装类型，该设备也可以用作E-Line（TO-92兼容）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为1.2W，该设备具有晶体管型NPN，集电器Ic最大值为4A，集电器发射极击穿最大值为100V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@2A，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为200mV@400mA，4A，集电器截止最大值为50nA（ICBO），频率转换为130MHz，Pd功耗为1.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为100 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为160 mV，集电极基极电压VCBO为200 V，并且发射极基极电压VEBO为6V，最大DC集电极电流为4A，增益带宽乘积fT为130MHz，连续集电极电流是4A，并且DC集电极基极增益hfe Min在2mA时在10mA时为100，在2V时为100。
ZTX851STZ是TRANS NPN 60V 5A E-LINE，包括60V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在250mV@200mA、5A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.016000盎司，提供晶体管类型功能，如NPN，晶体管极性设计用于NPN，以及E-Line（TO-92兼容）供应商设备包，该设备也可以用作ZTX851系列。此外，最大功率为1.2W，该设备提供1.2W Pd功耗，该设备具有切割胶带（CT）交替包装，包装盒为E-Line-3，成型引线，安装方式为通孔，安装类型为通孔。其最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，最大直流集电极电流为5A，增益带宽积fT为130MHz，频率转换为130MHz；发射极基极电压VEBO为6V；直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@2A，1V，直流电流增益h FE最大值为120；直流集电极基极增益hFE最小值为75，集电极Ic最大值为5A，集电极截止值最大值为1μA（ICBO），并且连续集电极电流为5A，并且配置为单集电极-发射极电压VCEO Max为60V，集电极-发射器饱和电压为250mV，并且集电极基极电压VCBO为150V。
ZTX853STZ是双极晶体管-BJT NPN大芯片SELine，包括200 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在160 mV集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-发射器电压VCEO Max显示在数据表注释中，用于100 V，提供配置功能，如单、连续集电极电流设计为在4 a下工作，以及在2 V DC集电极基极增益hfe Min下在2 V时10 mA时100，在2 V下2 V时2 A时100，2 V时50，4 A时2 V时20，10 A时2 DC集电极基极增益hfe-Min，该设备也可以用作在2 V直流电流增益hfe Max下10 mA时的100。此外，发射极基极电压VEBO为6 V，该设备以130 MHz增益带宽产品fT提供，该设备具有4 A的最大直流集电极电流，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，安装方式为通孔，封装外壳为TO-92，封装为散装，Pd功耗为1.2 W，系列为ZTX853，晶体管极性为NPN，单位重量为0.016000盎司。
