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HSG1002VE-TL-E

  • 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 35毫安 集电极击穿电压: 3.5伏 最大功率: 200mW 特征频率: 38GHz 供应商设备包装: 4-MFPAK
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 765

数量 单价 合计
765+ 2.82473 2160.91921
  • 库存: 519687
  • 单价: ¥2.82473
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,160.92
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规格参数

  • 工作温度 -
  • 部件状态 可供货
  • 晶体管类别 NPN
  • 安装类别 表面安装
  • 最大功率 200mW
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 集电极击穿电压 3.5伏
  • 最大集电极电流 (Ic) 35毫安
  • 最小直流增益 100@5毫安,2V
  • 特征频率 38GHz
  • 噪声系数 (dB) 频率 (f) 1.8GHz~5.8GHz时为0.7分贝~1.8分贝
  • 增益 8分贝 ~ 19.5分贝
  • 包装/外壳 4-SMD,鸥翼
  • 供应商设备包装 4-MFPAK

HSG1002VE-TL-E 产品详情

HSG1002VE-TL-E所属分类:双极射频晶体管,HSG1002VE-TL-E 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HSG1002VE-TL-E价格参考¥2.824731,你可以下载 HSG1002VE-TL-E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HSG1002VE-TL-E规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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