一系列NXP BISS（小信号突破）低饱和电压NPN双极结晶体管。这些器件在紧凑的空间节省封装中具有非常低的集电极-发射极饱和电压和高的集电极电流容量。当用于开关和数字应用中时，这些晶体管的减少的损耗导致较低的发热量和总体效率的提高。
PBHV8215Z,115
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 2A 集电极击穿电压: 150伏 最大功率: 1.45瓦 特征频率: 33MHz 供应商设备包装: SOT-223
- 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1000+ | 0.49014 | 490.14200 |
- 库存: 6600
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-
数量:
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
- 晶体管类别 NPN
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 集电极最大截止电流 100nA
- 包装/外壳 至261-4，至261AA
- 最大集电极电流 (Ic) 2A
- 集电极击穿电压 150伏
- 供应商设备包装 SOT-223
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 400毫安时280mV，2A
- 最小直流增益 100@1A，10V
- 最大功率 1.45瓦
- 特征频率 33MHz
PBHV8215Z,115 产品详情
低饱和电压NPN晶体管
PBHV8215Z,115 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | PBHV9115X,115 | 恩智浦 (NXP) | TRANSISTOR PNP 150V 1A SOT89 | ¥0.79672 |
 | PBHV9115Z,115 | 恩智浦 (NXP) | TRANS PNP 1A 150V SOT223 | ¥0.86915 |
 | PBH2002ZN3ED | BALL SERIES CHAIR CASTER W/PLAST | ¥0.00 | |
| PBH-47R0-F1-1.0 | RES 47 OHM 1% 10W TO247 | ¥0.00 | |
| PBH-R0036-F1-1.0 | RES 0.0036 OHM 1% 10W TO247 | ¥0.00 | |
| PBH-R180-F1-1.0 | RES 0.18 OHM 1% 10W TO247 | ¥0.00 | |
| PBH-100R-F1-1.0 | RES 100 OHM 1% 10W TO247 | ¥0.00 | |
| PBH-R120-F1-1.0 | RES 0.12 OHM 1% 10W TO247 | ¥0.00 | |
| PBH-R020-F1-1.0 | RES 0.02 OHM 1% 10W TO247 | ¥0.00 | |
| PBH-R470-F1-1.0 | RES 0.47 OHM 1% 10W TO247 | ¥0.00 |
PBHV8215Z,115所属分类：分立双极结型晶体管，PBHV8215Z,115 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产，可通过久芯网进行购买。PBHV8215Z,115价格参考￥0.490142，你可以下载 PBHV8215Z,115中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询PBHV8215Z,115规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安世半导体 (Nexperia)
Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家，这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...
