9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的2SCR512P5T100，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2SCR512P5T100参考价格为0.49000美元。Rohm Semiconductor 2SCR512P5T100封装/规格：NPN 30V 2A中功率晶体管。您可以下载2SCR512P5T100英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2SCR502UBTL，带引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装封装，设计用于SC-85封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如UMT3F，功率最大设计为200mW，以及NPN晶体管类型，该设备还可以用作500mA电流收集器Ic Max。此外，电压收集器发射器击穿最大值为30V，该设备提供200@100mA、2V直流电流增益hFE最小Ic Vce，该设备具有300mV@10mA、200mA Vce饱和最大值Ib Ic，电流收集器截止最大值为200nA（ICBO），频率转换为360MHz。
2SCR372PT100Q是双极晶体管-BJT Trans GP BJT NPN 120V 0.7A，包括NPN晶体管极性，它们设计用于2SCR372P系列，Pd功耗显示在数据表注释中，用于0.5W，提供卷轴等封装功能，封装盒设计用于MPT3，以及SMD/SMT安装样式，该器件还可以用作220 MHz增益带宽乘积fT。此外，发射极基极电压VEBO为6 V，该器件以390 mA DC电流增益hFE Max提供，该器件具有120的DC集电极基极增益hFE Min，集电极-发射极电压VCEO Max为120 V，集电极基极电压VCBO为120 V。
2SCR372PT100R是双极晶体管-BJT Trans GP BJT NPN 120V 0.7A，包括120 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在120 V集极-发射极电压VCEO Max下工作，数据表说明中显示了用于120的直流集电极基极增益hfe Min，其提供直流电流增益hfe Max功能，如390 mA，发射极基极电压VEBO设计为在6 V下工作，该器件还可以用作SMD/SMT安装样式。此外，封装外壳为MPT3，器件采用卷筒封装，器件具有0.5W的Pd功耗，系列为2SCR372P，晶体管极性为NPN。
2SCR502EBTL，带EDA/CAD模型，包括卷筒包装。
