9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PBSS4160PANSX，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PBSS4160PANSX参考价格为0.12000美元。Nexperia USA Inc.股份有限公司PBSS4160PANSX包装/规格：TRANS 2NPN 60V 1A DFN2020D-6。您可以下载PBSS4160PANSX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PBSS4160PANPSX带有引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为使用替代包装包装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如DFN2020-6，配置设计为双路工作，以及370mW最大功率，该设备也可以用作NPN、PNP晶体管类型。此外，集电器Ic最大值为1A，该设备提供60V电压集电器发射极击穿最大值，该设备具有150@500mA、2V/120@500mA和2V直流电流增益hFE最小Ic Vce，Vce饱和最大值Ib Ic为120mV@50mA、500mA/340mV@100mA，1A，集电器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为175MHz、125MHz，Pd功耗为2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为60 V-60 V，晶体管极性为NPN PNP，集电极/发射极饱和电压为90 mV-125 mV，集电极基极电压VCBO为60 V–60 V，发射极基极电压VEBO为7V-7V，最大DC集电极电流为1A-1A，增益带宽乘积fT为175MHz 125MHz，DC集电极基极增益hfe Min为290170。
PBSS4160PAN，115是TRANS 2NPN 60V 1A 6HUSON，包括60V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在120mV@50mA、500mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，数据表注释中显示了用于2 NPN（双）的晶体管类型，提供供应商设备包功能，如DFN2020D-6，功率最大值设计为510mW，除了Digi-ReelR替代包装包装外，该设备还可以用作6-UDFN暴露衬垫包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备提供175MHz频率转换，该设备具有150@500mA、2V直流电流增益hFE最小Ic Vce，集电器Ic最大值为1A，集电器截止值最大值为100nA（ICBO）。
PBSS4160PNP，115是TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON，包括100nA（ICBO）集流器最大截止电流，它们设计用于1A集流器Ic Max、DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于150@500mA、2V，具有175MHz等频率转换特性，安装类型设计用于表面安装，以及6-UDFN裸露衬垫包装盒，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，功率最大值为510mW，该器件在DFN2020D-6供应商器件包中提供，该器件具有晶体管型NPN、PNP，Vce饱和最大值Ib Ic为120mV@50mA、500mA，集电极-发射极击穿最大值为60V。
