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PBSS4260PAN，115是TRANS 2NPN 60V 2A 6HUSON，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于6-UDFN暴露衬垫包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包装功能，如6-HUSON（2x2），最大功率设计为510mW，以及2 NPN（双）晶体管类型，该器件还可以用作2A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器发射器击穿最大值为60V，该器件提供120@1A，2V DC电流增益hFE最小Ic Vce，该器件具有90mV@50mA，500mA Vce饱和最大值Ib Ic，电流收集器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为140MHz。
PBSS4260PNP，115是TRANS NPN/PNP 60V 2A 6HUSON，包括60V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在90mV@50mA、500mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于NPN、PNP，提供供应商设备包功能，如6-HUSON（2x2），功率最大值设计为510mW，除了Digi-ReelR替代包装包装外，该设备还可以用作6-UDFN暴露衬垫包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备提供140MHz频率转换，该设备具有120@1A，2V的直流电流增益hFE最小Ic Vce，集电器Ic最大值为2A，集电器截止值最大值为100nA（ICBO）。
带有电路图的PBSS4260PNPSX，包括100nA（ICBO）集流器最大截止电流，它们设计用于2A集流器Ic Max，DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于120@1A，2V，提供140MHz等频率转换功能，封装设计用于替代封装，以及370mW最大功率，该设备也可以用作汽车、AEC-Q101系列。此外，该技术是硅，该器件提供NPN、PNP晶体管类型，该器件具有350mV@200mA，2A的Vce饱和最大Ib-Ic，集电极-发射极击穿最大值为60V。
