带有S或NSV前缀的制造商零件号符合AEC-Q101标准。
特色
- 高电流、低VCEsat、ESD鲁棒、高电流增益、高截止频率、低外形封装、线性增益（Beta）
- 提高电路效率，减少电池充电时间，减少组件数量，高频开关，便携式产品更小，无失真
- 汽车和其他应用的NSV前缀需要独特的现场和控制变更要求；AECQ101合格和PPAP能力
应用
- 负载开关、电池充电、外通晶体管、DC/DC转换器、免费驱动器、电流扩展和低压降调节、阴极荧光灯驱动、外围驱动器-LED、电机、继电器
（图片：引出线）
NSS20200DMTTBG
- 描述:晶体管类别: 2 PNP（双） 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 3000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 2.09899 | 6296.97600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥2.09899
-
数量:
- +
- 总计: ¥6,296.98
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规格参数
- 晶体管类别 2 PNP（双）
- 安装类别 表面安装
- 部件状态 可供货
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 集电极最大截止电流 100nA（ICBO）
- 最大功率 -
- 最大集电极电流 (Ic) -
- 集电极击穿电压 -
- 特征频率 155兆赫
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 390mV @ 200毫安, 2A
- 最小直流增益 250@100毫安，2V
- 包装/外壳 6-WDFN Exposed Pad
- 供应商设备包装 6-WDFN (2x2)
NSS20200DMTTBG 产品详情
通用PNP晶体管，1A以上，ON半导体标准
NSS20200DMTTBG 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NSS3-WH | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | 阻隔板种类: 2墙（双） 端子块类别: 路障 电线数量: three 间距: 0.385英寸（9.77毫米） 色彩/颜色: White | ¥31.71231 |
| NSS3CS-WH | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | TERM BLOCK W/COMBO SCREW | ¥36.56216 |
| NSS3-BK | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | 阻隔板种类: 2墙（双） 端子块类别: 路障 电线数量: three 间距: 0.385英寸（9.77毫米） 色彩/颜色: 黑色 | ¥31.4197 |
| NSS-KIT | 泛达 (Panduit) | NSS-KIT | ¥818.47406 |
| NSS40400CF8T1G | 安盛美 (onsemi) | LOW VCES 40V SS XTR | ¥1.37615 |
| NSS60101DMR6T1G | 安盛美 (onsemi) | NSS60101DMR6T1G - 60 V, 1 A, LOW | ¥1.08166 |
| NSS310 | 顺烨 (SY) | 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：850mV@3A | ¥0.2133 |
| NSS510 | 顺烨 (SY) | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：5A 正向压降(Vf)：850mV@5A | ¥0.30764 |
| NSSM103M3T1NHT001 | WM103J1A-TR THERMISTOR | ¥0.00 | |
| NSSB203F4F2NGT001 | SB203R2N-TR THERMISTOR | ¥0.00 |
NSS20200DMTTBG所属分类：双极性晶体管阵列，NSS20200DMTTBG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NSS20200DMTTBG价格参考￥2.098992，你可以下载 NSS20200DMTTBG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NSS20200DMTTBG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
