9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计和生产的2SB857C-E，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。2SB857C-E参考价格$1.71000。Renesas Electronics America Inc 2SB857C-E封装/规格：电源双极晶体管，PNP。您可以下载2SB857C-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2SB852KT146B是TRANS PNP DARL 32V 0.3A SOT-346，包括2SB852K系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SMT3供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为200mW，该设备具有晶体管型PNP-达林顿，集流器Ic最大值为300mA，集电器-发射极击穿最大值为32V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为5000@100mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为1.5V@400μa，200mA，集流管截止最大值为1μa（ICBO），频率转换为200MHz，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为32 V，晶体管极性为PNP，集电极基极电压VCBO为40 V，发射极基极电压VEBO为6 V，最大直流集电极电流为0.3 A，并且DC集电极基极增益hfe Min为5000，并且最大集电极截止电流为1uA。
2SB855，用户指南由UTG制造。2SB855采用89-223-252封装，是IC芯片的一部分。
2SB856，带有HIT制造的电路图。2SB856采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
2SB857，带有HIT制造的EDA/CAD模型。2SB857采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
