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DME501010R是TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI5，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表说明中显示了用于5-SMD扁平引线的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SMINI5-F3-B，以及双重配置，该器件还可以用作150mW功率最大值。此外，晶体管类型为NPN、PNP（发射极耦合），该器件提供100mA电流收集器Ic最大值，该器件具有50V电压收集器-发射极击穿最大值，直流电流增益hFE最小Ic Vce为210@2mA、10V，Vce饱和最大Ib Ic为300mV@10mA、100mA/500mV@10mA、100mA，集电极截止电流最大值为100μA，频率转换为150MHz，其最大工作温度范围为+150 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为-50 V，晶体管极性为NPN PNP，增益带宽乘积fT为150 MHz，连续集电极电流为-100 mA，直流集电极基极增益hfe最小值为210。
DME505010R是TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在300mV@10mA、100mA/500mV@10mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作。数据表注释中显示了用于NPN、PNP的晶体管类型，该NPN、，该设备还可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为6-SMD，扁平引线，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有安装型表面安装，其最大工作温度范围为+150℃，增益带宽乘积fT为150 MHz，频率转换为150MHz，直流电流增益hFE Min Ic Vce为210@2mA，10V，直流集电极基极增益hFE Min为210，集电极Ic Max为100mA，集电极截止电流Max为100μA，连续集电极电流为-100 mA，配置为双，集电极-发射极电压VCEO Max为-50 V。
DME500是TRANS RF BIPO 1700W 40A 55KT1，包括40A集流器Ic Max，它们设计用于10@500mA，5V DC电流增益hFE Min Ic Vce，数据表说明中显示了1.025GHz~1.15GHz中使用的频率转换，提供6dB~6.5dB等增益特性，安装类型设计用于底盘安装，以及55KT包装箱，该装置也可以用作散装包装。此外，功率最大值为1700W，该设备采用55KT供应商设备包提供，该设备具有晶体管型NPN，集电极-发射极击穿最大值为55V。
