1.)高速切换。（Tf:Type:80ns，lc=500mA）
2） 低饱和电压，通常（典型值：150mV，lc=100mA，lB=10mA）
3） 感应负载和电容负载的强放电功率。
4） 补充2SA2088。
（图片：引出线）
2SC5876T106R
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: UMT3
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 500
- 单价: ¥0.81845
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.82
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 最大集电极电流 (Ic) 500 mA
- 晶体管类别 NPN
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 最大功率 200毫瓦
- 包装/外壳 SC-70，SOT-323
- 供应商设备包装 UMT3
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 10毫安, 100毫安
- 集电极击穿电压 60 V
- 特征频率 300MHz
- 最小直流增益 120@50毫安，2V
- 集电极最大截止电流 1.A（ICBO）
2SC5876T106R 产品详情
特征
2SC5876T106R 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SC5231C9-TL-E | 安盛美 (onsemi) | 2SC5231 - RF SMALL SIGNAL BIPOLA | ¥1.20522 |
| 2SC4901YK-TR-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4731 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR | ¥3.58712 |
| 2SC3380ASTR-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC3380ASTR - SILICON NPN TRIPLE | ¥2.20329 |
 | 2SC2619FCTL-E | 瑞萨电子 (Renesas) | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | ¥1.08644 |
 | 2SC5300 | 安盛美 (onsemi) | POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN | ¥33.17248 |
| 2SCR513RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 360兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥4.63546 |
| 2SCR514RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 700 mA 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥5.14246 |
| 2SC4942-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4942-T1-AZ - NPN SILICON TRIP | ¥8.37185 |
| 2SC4942-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4942-AZ - NPN SILICON TRIPLE | ¥8.37185 |
 | 2SCR522EBTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 400MHz 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.23129 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
