一系列NXP BISS（小信号突破）低饱和电压NPN双极结晶体管。这些器件在紧凑的空间节省封装中具有非常低的集电极-发射极饱和电压和高的集电极电流容量。当用于开关和数字应用中时，这些晶体管的减少的损耗导致较低的发热量和总体效率的提高。
PBHV8118T,215
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 180伏 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 30MHz 供应商设备包装: TO-236AB
- 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.11444 | 3.11444 |
| 10+ | 2.54225 | 25.42258 |
| 100+ | 1.72960 | 172.96050 |
| 500+ | 1.29720 | 648.60150 |
| 1000+ | 0.97286 | 972.86600 |
| 3000+ | 0.89181 | 2675.45400 |
| 6000+ | 0.84133 | 5048.01000 |
- 库存: 2052
- 单价: ¥3.11445
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.11
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
- 晶体管类别 NPN
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备包装 TO-236AB
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 集电极最大截止电流 100nA
- 最大集电极电流 (Ic) 1A
- 最大功率 300毫瓦
- 特征频率 30MHz
- 集电极击穿电压 180伏
- 最小直流增益 50 @ 500毫安, 10V
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 50mV @ 20毫安, 100毫安
PBHV8118T,215 产品详情
低饱和电压NPN晶体管
PBHV8118T,215 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | PBHV9115X,115 | 恩智浦 (NXP) | TRANSISTOR PNP 150V 1A SOT89 | ¥0.79672 |
 | PBHV9115Z,115 | 恩智浦 (NXP) | TRANS PNP 1A 150V SOT223 | ¥0.86915 |
 | PBH2002ZN3ED | BALL SERIES CHAIR CASTER W/PLAST | ¥0.00 | |
| PBH-47R0-F1-1.0 | RES 47 OHM 1% 10W TO247 | ¥0.00 | |
| PBH-R0036-F1-1.0 | RES 0.0036 OHM 1% 10W TO247 | ¥0.00 | |
| PBH-R180-F1-1.0 | RES 0.18 OHM 1% 10W TO247 | ¥0.00 | |
| PBH-100R-F1-1.0 | RES 100 OHM 1% 10W TO247 | ¥0.00 | |
| PBH-R120-F1-1.0 | RES 0.12 OHM 1% 10W TO247 | ¥0.00 | |
| PBH-R020-F1-1.0 | RES 0.02 OHM 1% 10W TO247 | ¥0.00 | |
| PBH-R470-F1-1.0 | RES 0.47 OHM 1% 10W TO247 | ¥0.00 |
PBHV8118T,215所属分类：分立双极结型晶体管，PBHV8118T,215 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产，可通过久芯网进行购买。PBHV8118T,215价格参考￥3.114447，你可以下载 PBHV8118T,215中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询PBHV8118T,215规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安世半导体 (Nexperia)
Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家，这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...
