9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的MMBTA56Q-7-F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMBTA56Q-7-F参考价格0.32000美元。Diodes Incorporated MMBTA56Q-7-F包装/规格：TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3。您可以下载MMBTA56Q-7-F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MMBTA56LT1G是TRANS PNP 80V 0.5A SOT23，包括MMBTA56L系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，适用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及表面安装安装类型，该装置也可以用作SOT-23-3（TO-236）供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为225mW，该设备具有晶体管型PNP，集电器Ic最大值为500mA，集电器-发射极击穿最大值为80V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@100mA，1V，Vce饱和最大值Ib Ic为250mV@10mA，100mA，集电截止最大值为100nA，频率转换为50MHz，Pd功耗为225mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-80 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-0.25 V，集电极基极电压VCBO为-80 V，发射极基极电压VEBO为4V，最大DC集电极电流为0.5A，增益带宽乘积fT为50MHz，连续集电极电流是-0.5A，DC集电极基极增益hfe Min为100。
MMBTA56LT3G是TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23，包括80V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@10mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717盎司的晶体管，提供PNP等晶体管类型功能，晶体管极性设计为在PNP下工作，以及SOT-23-3（TO-236）供应商设备包，该设备也可以用作MMBTA56L系列。此外，最大功率为225mW，该器件提供225mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR替代封装，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，最大直流集电极电流为0.5A，增益带宽积fT为50MHz，频率转换为50MHz；发射极基极电压VEBO为4V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@100mA，1V，直流集电极基极增益hFE最小为100，集电极Ic最大为500mA，集电极截止最大为100nA，且连续集电极电流为-0.5A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO最大值为-80 V，集电极/发射极饱和电压为-0.25 V，集极基极电压VCBO为-80 V。
MMBTA56LT1是ON公司制造的TRANS PNP 80V 0.5A SOT23。MMBTA56LT1有TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分，支持TRANS PNV 0.5A SOT23、TRANS GP BJT PNP 80A 0.5A 300mW 3引脚SOT-23 T/R。
MMBTA56LT3，带有MOT制造的EDA/CAD模型。MMBTA56LT3采用SOT-23封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
