9icnet为您提供MicroCommercial Co设计和生产的MMBT2222AT-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMBT2222AT-TP参考价格为0.36000美元。Micro Commercial Co MMBT2222AT-TP包装/规格：TRANS NPN 40V 0.6A SOT-523。您可以下载MMBT2222AT-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MMBT2222ATT1G是TRANS NPN 40V 0.6A SC75-3，包括MMBT2222AT系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SC-75、SOT-416等封装外壳功能，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为150mW，该器件为NPN晶体管型，该器件具有600mA的电流收集器Ic最大值，电压收集器发射极击穿最大值为40V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@150mA、10V，Vce饱和最大值Ib Ic为1V@50mA、500mA，频率转换为300MHz，Pd功耗为150mW，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，集电极-发射极电压VCEO Max为40 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为1 V，集电极基极电压VCBO为75 V，发射极基极电压VEBO为6 V，最大直流集电极电流为0.6 A，并且增益带宽乘积fT是300MHz，并且连续集电极电流是0.6A，并且DC集电极基本增益hfe-Min是35。
MMBT2222ATT3G是双极晶体管-BJT SS SC75 GP XSTR NPN 75V，包括NPN晶体管极性，它们设计用于MMBT2222AT系列，Pd功耗显示在数据表注释中，用于150 mW，提供卷轴等封装功能，封装盒设计用于SOT-416，以及SMD/SMT安装样式，它的最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，该设备的最大直流集电极电流为0.6 A，该设备具有300 MHz的增益带宽乘积fT，发射极基极电压VEBO为6 V，直流集电极基极增益hfe Min为35，连续集电极电流是600 mA，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为40V，集电极-发射器饱和电压为1V，集极基极电压VCBO为75V。
MMBT2222ATT1是ON制造的Trans-GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3引脚SOT-416 T/R。MMBT2222ATT1采用SOT-323封装，是晶体管（BJT）的一部分-单体，支持Trans-GP双极晶体管NPN 40W 0.6A 150mW 3引脚SOT 416 T/R。
