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2SAR523UBTL是TRANS PNP 50V 0.1A UMT3FM，包括2SAR523UB系列，它们设计用于卷筒包装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供UMT-3F等封装箱功能，配置设计用于单台，以及200 mW Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C。此外，集电极-发射极电压VCEO Max为-50 V，该器件采用PNP晶体管极性，该器件的集电极-发射器饱和电压为-0.15 V，集电极基极电压VCBO为-50 V；发射极基极电压VEBO为-5 V，增益带宽积fT为300 MHz，连续集电极电流为-100 mA，并且DC集电极基极增益hfe Min为120，并且DC电流增益hfe Max为560。
带用户指南的2SAR523MT2L，包括50V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在400mV@5mA、50mA Vce饱和最大值Ib-Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于PNP，提供供应商设备包功能，如VMT3，系列设计用于2SAR523M，以及150mW功率最大值，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为SOT-723，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有安装型表面安装，频率转换为300MHz，直流电流增益hFE最小Ic Vce为120@1mA，6V，集流器Ic最大值为100mA，集流器截止最大值为100nA（ICBO）。
2SAR523V1T2L是双极型晶体管-BJT双极型晶体管PNP，包括50 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计用于双配置，最大直流集电极电流显示在数据表注释中，用于100 mA，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于VML0806-3，以及卷筒包装，该器件也可以用作100mW Pd功率耗散。此外，晶体管极性为PNP。
2SAR523UB，带有ROHM制造的EDA/CAD模型。2SAR523UB以SOT-323封装形式提供，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
