9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STL73参考价格0.70000美元。STMicroelectronics STL73包装/规格：TRANS NPN 400V 1.5A TO-92。您可以下载STL73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STL70N4LLF5是MOSFET N-CH 40V 18A PWRFLAT 6X5，包括STripFET？V系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如8-PowerVDFN，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备也可用作表面安装安装类型。此外，供应商设备包是PowerFlat？（6x5），该器件采用MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型，该器件最大功率为4W，漏极到源极电压Vdss为40V，输入电容Ciss Vds为1800pF@25V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为70A（Tc），最大电流Rds Id Vgs为6.5mOhm@9A、10V，Vgs th最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为13nC@4.5V，Pd功耗为4W60W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为+/-22 V，Id连续漏极电流为18 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，漏极-源极电阻Rds为6.1mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为13nC。
STL70N10F3是MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6，包括4 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于17 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如43 ns，晶体管极性设计为在N沟道中工作，该器件也可以用作STL70N10F3系列。此外，上升时间为11ns，器件提供8.4 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有56nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为136W，封装为卷轴式，封装盒为PowerFlat-8，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏极电流为16A，下降时间为5.7ns，通道模式为增强型。
STL71L，带有ST制造的电路图。STL71LL采用TO-92封装，是IC芯片的一部分。
