一系列NXP BISS(小信号突破)低饱和电压NPN双极结晶体管。这些器件在紧凑的空间节省封装中具有非常低的集电极-发射极饱和电压和高的集电极电流容量。当用于开关和数字应用中时,这些晶体管的减少的损耗导致较低的发热量和总体效率的提高。
PBSS4350D,115
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 750 mW 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: 6-TSOP
- 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 3.18687 | 3.18687 |
10+ | 2.41188 | 24.11886 |
100+ | 1.50217 | 150.21770 |
500+ | 1.02805 | 514.02850 |
1000+ | 0.79078 | 790.78000 |
3000+ | 0.71168 | 2135.06100 |
6000+ | 0.67214 | 4032.84600 |
15000+ | 0.61542 | 9231.43500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.18688
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.19
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
- 晶体管类别 NPN
- 集电极最大截止电流 100nA(ICBO)
- 特征频率 100MHz
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 150摄氏度(TJ)
- 集电极击穿电压 50 V
- 最大功率 750 mW
- 包装/外壳 SC-74,SOT-457
- 供应商设备包装 6-TSOP
- 最大集电极电流 (Ic) 3A
- 最小直流增益 100@2A,2V
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 290mV@200毫安,2A
PBSS4350D,115 产品详情
低饱和电压NPN晶体管
PBSS4350D,115所属分类:分立双极结型晶体管,PBSS4350D,115 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PBSS4350D,115价格参考¥3.186876,你可以下载 PBSS4350D,115中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PBSS4350D,115规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安世半导体 (Nexperia)
Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...