特色
- 低VCE（sat）
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
2SD2675TL
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 500 mW 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: TSMT3
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.33173 | 3.33173 |
| 10+ | 2.88267 | 28.82674 |
| 100+ | 2.14969 | 214.96930 |
| 500+ | 1.68904 | 844.52200 |
| 1000+ | 1.30517 | 1305.17100 |
| 3000+ | 1.19000 | 3570.02400 |
| 6000+ | 1.11323 | 6679.40400 |
| 15000+ | 1.08643 | 16296.52500 |
- 库存: 1881
- 单价: ¥3.33173
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.33
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 NPN
- 集电极最大截止电流 100nA（ICBO）
- 安装类别 表面安装
- 集电极击穿电压 30伏
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 最大集电极电流 (Ic) 1A
- 最大功率 500 mW
- 最小直流增益 270@100毫安，2V
- 特征频率 320兆赫
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 350mV @ 25毫安, 500毫安
- 包装/外壳 SC-96
- 供应商设备包装 TSMT3
2SD2675TL 产品详情
各种产品以节能和高可靠性为主要概念，从超紧凑封装到电源封装，以满足市场需求。
2SD2675TL 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SD734F | 安盛美 (onsemi) | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA | ¥0.90391 |
| 2SD1579-T-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SD1579-T-AZ - SMALL SIGNAL BIPO | ¥8.77333 |
 | 2SD1060R-1E | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 1.75瓦 特征频率: 30MHz 供应商设备包装: TO-220-3 | ¥0.92709 |
 | 2SD1824GSL | 松下电子元件 (Panasonic) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 90MHz 供应商设备包装: SMini3-F2 | ¥5.07003 |
 | 2SD1979GSL | 松下电子元件 (Panasonic) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 300毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 80MHz 供应商设备包装: SMini3-F2 | ¥2.46259 |
| 2SD734F-AA | 安盛美 (onsemi) | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA | ¥0.30131 |
| 2SD438F-MP-AE | 安盛美 (onsemi) | 2SD438 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, | ¥0.67794 |
| 2SD799 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥6.88369 |
| 2SD424 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥5.90631 |
| 2SD750 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥5.90631 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
