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BC856BLT1G是TRANS PNP 65V 0.1A SOT23，包括BC856BL系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及表面安装型，该装置也可以用作SOT-23-3（TO-236）供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为300mW，该设备具有晶体管型PNP，集电极Ic最大值为100mA，集电极-发射极击穿最大值为65V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为220@2mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为650mV@5mA，100mA，且集电极截止最大值为15nA（ICBO），频率转换为100MHz，Pd功耗为225mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-65V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-0.65 V，集电极基极电压VCBO为-80 V，发射极基极电压VEBO为5V，最大DC集电极电流为0.1A，增益带宽乘积fT为100MHz，连续集电极电流是-0.1A，DC集电极基极增益hfe Min为220。
BC856BLT3G是TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23，包括65V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在650mV@5mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717 oz的晶体管，提供PNP等晶体管类型功能，晶体管极性设计为在PNP下工作，以及SOT-23-3（TO-236）供应商设备包，该设备也可以用作BC856BL系列。此外，最大功率为300mW，该器件提供225 mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR替代封装，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为0.1A，增益带宽积fT为100MHz，频率转换为100MHz；发射极基极电压VEBO为5V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为220@2mA，5V，直流集电极基极增益hFE最小为220，集电极Ic最大为100mA，集电极截止最大为15nA（ICBO），且连续集电极电流为-0.1A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为-45 V，集电极/发射极饱和电压为-0.65 V，集极基极电压VCBO为-50 V。
BC856BM3T5G是TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723，包括-80 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在-0.65 V集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-发射器电压VCEO Max如数据表注释所示，用于-65 V，提供配置功能，如单次连续集电极电流设计为在-0.1 a下工作，除了15nA（ICBO）集流器截止最大值，该器件还可以用作100mA集流器Ic最大值。此外，直流集流器基极增益hfe最小值为150，该器件提供220@2mA、5V直流电流增益hfe最小值Ic Vce，该器件具有5V发射极基极电压VEBO，频率转换为100MHz，增益带宽乘积fT为100MHz，最大直流集电极电流为0.1A，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为表面安装，安装方式为SMD/SMT，封装外壳为SOT-723，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为265 mW，最大功率为265mW，该系列为BC856系列，供应商设备包为SOT-723，晶体管极性为PNP，晶体管类型为PNP。Vce饱和最大Ib-Ic为650mV@5mA，100mA，集电极-发射极击穿最大值为65V。
