该设备采用平面技术制造,具有“基岛”布局和
单片达林顿配置。由此产生的晶体管显示出极高的增益
性能与非常低的饱和电压耦合。
特征
1.低集电极-发射极饱和电压
2.互补NPN–PNP晶体管
特色
- 低集电极-发射极饱和电压
- 互补NPN-PNP晶体管
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 5.93917 | 5.93917 |
10+ | 5.24386 | 52.43860 |
100+ | 4.02053 | 402.05340 |
500+ | 3.17847 | 1589.23700 |
1000+ | 2.62374 | 2623.74100 |
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
该设备采用平面技术制造,具有“基岛”布局和
单片达林顿配置。由此产生的晶体管显示出极高的增益
性能与非常低的饱和电压耦合。
特征
1.低集电极-发射极饱和电压
2.互补NPN–PNP晶体管
意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...