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PMBT2222AYSX带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.000705盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如TSOP-6，技术设计用于Si，以及双配置，该设备还可用作550 mW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为40 V，晶体管极性为NPN，集电极-发射器饱和电压为1 V，集电极基极电压VCBO为75 V，发射极基极电压VEBO为6 V，最大直流集电极电流为800 mA，并且增益带宽乘积fT为300 MHz，并且连续集电极电流为600 mA，并且DC集电极基本增益hfe Min在150 mA 10V时为100，并且DC电流增益hfe Max在150 mA 10V时为300。
PMBT2369和NXP制造的用户指南。PMBT2369采用SOT-23封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
PMBT2369（W1J），带有PHI制造的电路图。PMBT2369（W1J）采用SOT23封装，是IC芯片的一部分。
