9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DNLS350E-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DNLS350E-13参考价格为0.46000美元。Diodes Incorporated DNLS350E-13包装/规格：TRANS NPN 50V 3A SOT-223。您可以下载DNLS350E-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DNLS320E-13是TRANS NPN 20V 3A SOT-223，包括DNLS320系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-223供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供1W功率最大值，该设备具有晶体管型NPN，集电器Ic最大值为3A，集电器-发射器击穿最大值为20V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为400@2A，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为450mV@2mA，3A，集电器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为150MHz，Pd功耗为1000mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为20 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为450 mV，集电极基极电压VCBO为20 V，发射极基极电压VEBO为5V，最大直流集电极电流为8A，增益带宽乘积fT为150MHz，直流集电极基极增益hfe Min在6V时为150，直流电流增益hfe Max在0.1A时为500。
DNLS160V-7是TRANS NPN 60V 1A SOT-563，包括60V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@100mA、1A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.000106盎司，提供NPN等晶体管类型功能，晶体管极性设计为在NPN中工作，该设备也可以用作DNLS160系列。此外，最大功率为300mW，该器件提供300mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为SOT-563、SOT-666，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，最大直流集电极电流为2A，增益带宽积fT为270MHz，频率转换为270MHz；发射极基极电压VEBO为5V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为200@500mA，5V，直流电压增益hFE Max为250（1mA，5V），直流集电极基极增益hFE Min为100（1A5V），集电极Ic Max为1A，且集电极截止电压最大值为100nA，且配置为单一，且集电极-发射极电压VCEO最大值为60V，且集极-发射极饱和电压为250mV，且集极基极电压VCBO为80V。
DNLS320A-7是TRANS NPN 20V 2A SOT23-3，包括20 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在20 V集极-发射极电压VCEO Max下工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供100nA（ICBO）等集电极截止最大功能，集电极Ic Max设计为在2A、，除了220 DC集电极基极增益hfe Min之外，该器件还可以在2 V DC电流增益hfe Max时在0.1 A时用作220。此外，DC电流增益h FE Min Ic Vce为220@1A，2V，该器件提供5 V发射器基极电压VEBO，该器件具有220MHz的频率转换，增益带宽积fT为220 MHz，最大DC集电极电流为2 A，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，安装类型为表面安装，安装方式为SMD/SMT，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为600 mW，最大功率为600 W，系列为DNLS320，供应商器件封装为SOT-23-3，晶体管极性为NPN，晶体管类型为NPN、单位重量为0.000282盎司，Vce饱和最大Ib-Ic为310mV@300mA，3A，集电极-发射极击穿最大值为20V。
