特色
- 低VCE（sat）
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
2SD2696T2L
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 400毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 400MHz 供应商设备包装: VMT3
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.54902 | 3.54902 |
| 10+ | 2.64365 | 26.43659 |
| 100+ | 1.49928 | 149.92800 |
| 500+ | 0.99271 | 496.35600 |
| 1000+ | 0.76108 | 761.08400 |
| 2000+ | 0.66178 | 1323.56800 |
| 8000+ | 0.59565 | 4765.24800 |
| 16000+ | 0.52945 | 8471.29600 |
| 24000+ | 0.49635 | 11912.54400 |
| 56000+ | 0.46825 | 26222.16800 |
- 库存: 4462
- 单价: ¥3.54902
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.55
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 NPN
- 集电极最大截止电流 100nA（ICBO）
- 安装类别 表面安装
- 集电极击穿电压 30伏
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 特征频率 400MHz
- 最大功率 150 mW
- 包装/外壳 SOT-723
- 最小直流增益 270@100毫安，2V
- 供应商设备包装 VMT3
- 最大集电极电流 (Ic) 400毫安
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 2毫安, 100毫安
2SD2696T2L 产品详情
各种产品以节能和高可靠性为主要概念，从超紧凑封装到电源封装，以满足市场需求。
2SD2696T2L 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | 2SD1060R-1E | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 1.75瓦 特征频率: 30MHz 供应商设备包装: TO-220-3 | ¥0.92709 |
 | 2SD1824GSL | 松下电子元件 (Panasonic) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 90MHz 供应商设备包装: SMini3-F2 | ¥5.07003 |
 | 2SD1979GSL | 松下电子元件 (Panasonic) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 300毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 80MHz 供应商设备包装: SMini3-F2 | ¥2.46259 |
| 2SD734F-AA | 安盛美 (onsemi) | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA | ¥0.30131 |
| 2SD438F-MP-AE | 安盛美 (onsemi) | 2SD438 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, | ¥0.67794 |
| 2SD799 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥6.88369 |
| 2SD424 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥5.90631 |
| 2SD750 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥5.90631 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
