9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF817A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF817A参考价格为1.04000美元。STMicroelectronics STF817A封装/规格：TRANS PNP 80V 1.5A SOT89。您可以下载STF817A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF7NM80是MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220FP，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数量的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有25W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为6.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为800V，第Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.05欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为18nC，正向跨导最小值为4s，沟道模式为增强。
带有用户指南的STF80N10F7，包括第4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于25 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道STripFET系列，该器件具有13.5ns的上升时间，Rds漏极-源极电阻为270mOhms，Qg栅极电荷为44nC，Pd功耗为30W，封装为管，封装盒为I2PAKFP-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为15 A，下降时间为21 ns，配置为单一。
STF8045DV，带有ST制造的电路图。STF8045 DV可在模块包中获得，是模块的一部分。
